Proyectos

Contratos industriales

1. IBM Microelectronics. Physics and statistics of progressive breakdown of ultra-thin SiO2-based dielectrics: implications for reliability assessment of 45 nm CMOS technology and beyond (IBM Faculty Award)

Ministerio de Ciencia y Tecnología

1. TEC2006-13731-C02-01. Prestaciones, variabilidad e inestabilidades en dispositivos nanoelectrónicos
2. TEC2006-13731-C02-01. Simulación Monte Carlo atomística del transporte electrónico y sus correlaciones en transistores nanométricos de efecto de campo;
3. TEC2008-01883-E. Proyecto EXPLORA. Exploración del efecto de capacidad negativa en estructuras metal-aislante-semiconductor con objeto de reducir el consumo de potencia en circuitos integrados
4. TEC2008-01865-E. Proyecto EXPLORA. Sólidos artificiales mediante estructuras de agujeros
5. Antifusibles controlables por tensión basados en nanohilos de ruptura dieléctrica
6. Simulación del transporte de electrones y sus correlaciones cuánicas en dispositivos nanométricos.

Generalitat de Catalunya

1. DPRU2004-04 Nanoelectrònica: dispositius electrònics per a la nanoescala;
2. SGR-2005-00061. Grup Consolidat de Recerca en Enginyeria de Dispositius Micro y Nanoelectrònics.

Comissión Europea

1. TRANSPINS. 017198/IRG7 Transport of spins in semiconductors.